Transistor PNP TIP120 8A 60V
Le TIP120 est constitué de transistors de puissance NPN Epitaxial-Base en silicium en configuration Darlington monolithique montés dans un boîtier en plastique Jedec TO-220. Ils sont destinés à être utilisés dans des applications de puissance linéaire et de commutation.
Brochage du TIP120 :
Configuration des broches TIP120
N° broche | Nom de la broche |
---|---|
1 | Base |
2 | Collectionneur |
3 | Émetteur |
Fonctionnalités clés du TIP120
- 65 W à 250 C Température du boîtier :
- Courant de collecteur continu de 5 A
- Hfe min de 1000 à 3 v, 3 A
- Capacité de courant du collecteur IC=5A
- Collecteur Emetteur Tension VCEO=60 V
- Transistors au silicium complémentaires de moyenne puissance
- Désignation du type : TIP120
- Matériau du transistor : Si
- Polarité : NPN
- Tension maximale émetteur-base |Veb| : 5 V
spécification
Ic (mA) | Pd (mW) | Vce (max) | VCB | hfe | @Ic _ |
---|---|---|---|---|---|
5 | 65 | 60 | 60 | 1000 | 500 |
TIP120 Équivalent / Alternatif :
- TIP100, TIP101, TIP102, TIP105, TIP106, TIP107, TIP110, TIP125
Application
- Darlington
- Amplificateur à usage général
- Commutation à basse vitesse