Transistor IRF9640
IRF9640 11A 200V Transistors à effet de champ de puissance à grille de silicium en mode d’amélioration du canal P. Ce sont des MOSFET de puissance avancés conçus, testés et garantis pour résister à un niveau d’énergie spécifié dans le mode de fonctionnement à avalanche de claquage. Tous ces MOSFET de puissance sont conçus pour des applications telles que les régulateurs à découpage, les convertisseurs à découpage, les pilotes de moteur, les pilotes de relais et en tant que pilotes pour d’autres dispositifs de commutation haute puissance. L’impédance d’entrée élevée permet à ces types d’être exploités directement à partir de circuits intégrés
Configuration des broches IRF9640
| N° broche | Nom de la broche |
|---|---|
| 1 | Porte |
| 2 | Drainer |
| 3 | La source |
Principales caractéristiques de l’IRF9640
- 11A, 200V
- RDS(ON) = 0.500Ω
- Énergie d’avalanche à impulsion unique
- SOA est une dissipation de puissance limitée
- Vitesses de commutation en nanosecondes
- Caractéristiques de transfert linéaire
- Impédance d’entrée élevée
- Désignation du type : IRF9640
- Type de transistor : MOSFET
- Type de canal de contrôle : canal P
Spécification IRF9640
| Identifiant (A) | Pd (W) | Vds (max) | Rds (on) | Vg (max) |
|---|---|---|---|---|
| 11 | 125 | 200 | 0,5 | 20 |
IRF9640 Équivalent/Alternative
- IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202
Application
- Régulateurs à découpage
- Convertisseurs de commutation
- Pilotes de moteur
- Pilotes de relais
