Transistor IRF9640

Transistor IRF9640 11A 200V Transistors à effet de champ de puissance à grille de silicium en mode d’amélioration du canal P.

UGS : DCD-01-T41

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Description

Transistor IRF9640

IRF9640 11A 200V Transistors à effet de champ de puissance à grille de silicium en mode d’amélioration du canal P. Ce sont des MOSFET de puissance avancés conçus, testés et garantis pour résister à un niveau d’énergie spécifié dans le mode de fonctionnement à avalanche de claquage. Tous ces MOSFET de puissance sont conçus pour des applications telles que les régulateurs à découpage, les convertisseurs à découpage, les pilotes de moteur, les pilotes de relais et en tant que pilotes pour d’autres dispositifs de commutation haute puissance. L’impédance d’entrée élevée permet à ces types d’être exploités directement à partir de circuits intégrés

Configuration des broches IRF9640

N° broche Nom de la broche
1 Porte
2 Drainer
3 La source

Principales caractéristiques de l’IRF9640

  • 11A, 200V
  • RDS(ON) = 0.500Ω
  • Énergie d’avalanche à impulsion unique
  • SOA est une dissipation de puissance limitée
  • Vitesses de commutation en nanosecondes
  • Caractéristiques de transfert linéaire
  • Impédance d’entrée élevée
  • Désignation du type : IRF9640
  • Type de transistor : MOSFET
  • Type de canal de contrôle : canal P

Spécification IRF9640

Identifiant (A) Pd (W) Vds (max) Rds (on) Vg (max)
11 125 200 0,5 20

IRF9640 Équivalent/Alternative

  • IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202

Application

  • Régulateurs à découpage
  • Convertisseurs de commutation
  • Pilotes de moteur
  • Pilotes de relais

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