Transistors IRF644 TO-220

Transistors IRF644 TO-220 , Les transistors à effet de champ de puissance IRF644 14A 250V à canal N en mode d’amélioration sont produits à l’aide de la technologie DMOS planaire propriétaire de Fairchild.

UGS : DCD-01-T39

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Description

Les transistors à effet de champ de puissance IRF644 14A 250V à canal N en mode d’amélioration sont produits à l’aide de la technologie DMOS planaire propriétaire de Fairchild. Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l’état passant, fournir des performances de commutation supérieures et résister à des impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés aux convertisseurs CC/CC à découpage à haut rendement et aux alimentations à découpage

Brochage IRF644 :

Configuration des broches IRF644

N° broche Nom de la broche
1 Porte
2 Drainer
3 La source

Principales caractéristiques de l’IRF644

  • 14A, 250V, RDS(on) = 0.28Ω @VGS = 10V
  • Faible charge de grille (typique 47 nC)
  • Low Cross (typique 30 pF)
  • Commutation rapide
  • 100% testé contre les avalanches
  • Capacité dv/dt améliorée
  • Désignation du type : IRF644
  • Type de transistor : MOSFET
  • Type de canal de contrôle : N -Channel

Spécification IRF644

Identifiant (A) Pd (W) Vds (max) Rds (on) Vg (max)
14 125 250 0,28 dix

IRF644 Équivalent/Alternatif

  • IRF034, IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201

Application

  • Commutation DC/DC Convertisseur
  • Alimentations à découpage

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