Les transistors à effet de champ de puissance IRF644 14A 250V à canal N en mode d’amélioration sont produits à l’aide de la technologie DMOS planaire propriétaire de Fairchild. Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l’état passant, fournir des performances de commutation supérieures et résister à des impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés aux convertisseurs CC/CC à découpage à haut rendement et aux alimentations à découpage
Brochage IRF644 :
Configuration des broches IRF644
| N° broche | Nom de la broche |
|---|---|
| 1 | Porte |
| 2 | Drainer |
| 3 | La source |
Principales caractéristiques de l’IRF644
- 14A, 250V, RDS(on) = 0.28Ω @VGS = 10V
- Faible charge de grille (typique 47 nC)
- Low Cross (typique 30 pF)
- Commutation rapide
- 100% testé contre les avalanches
- Capacité dv/dt améliorée
- Désignation du type : IRF644
- Type de transistor : MOSFET
- Type de canal de contrôle : N -Channel
Spécification IRF644
| Identifiant (A) | Pd (W) | Vds (max) | Rds (on) | Vg (max) |
|---|---|---|---|---|
| 14 | 125 | 250 | 0,28 | dix |
IRF644 Équivalent/Alternatif
- IRF034, IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201
Application
- Commutation DC/DC Convertisseur
- Alimentations à découpage
